多晶矽、單晶矽微波、紅外複合專用烘幹生産線工藝設備要求：
1、物料特性： 幹燥物料名稱：多晶矽料。
2、物料形狀：1mm-8mm、8mm-50mm、50mm-150mm 三種規格，不規則形狀。
3、含水率：矽料表面水分，小顆粒的爲經過甩幹後的水分。
幹燥原理及控制點：
1、采用幹燥原理：連續式，微波溫控幹燥。
2、微波精度控制：≤1％。 溫度控制點：多點控溫，烘幹過程中矽料溫度≤120℃。
3、傳動系統：PTFE特氟龍高溫布，可變頻調速。 輸送帶回程清理：帶自動電動毛刷清掃裝置。
4、微波洩漏量：≤2mW/cm2，測量方法按GB 5959.6-2008中規定執行。
生産能力：
1、設計生産能力250KG/h，24h連續流水式作業，烘幹後需加冷卻降溫到40℃。
2、設備配置與功能 設計總功率120kw，微波功率90kw，紅外功率90kw，循環冷卻水流量約14m³/h，排風量3600m³/h。
3、設備長16.75m，寬1.4m，高2.2m。 操作櫃與微波電源櫃同側布置，操作櫃靠近上料端，從操作台處面對設備，設備爲右進左出。
4、設備主體： 設備主體由布料系統、微波抑制器（首尾各一個）、微波腔體、微波發生器、傳送裝置、排濕冷卻系統、下料冷卻系統組成。
5、設備機架整體采用304不鏽鋼材料制作，微波腔體采用316L不鏽鋼。 微波腔體長9m、寬1.5m、高0.48m。
6、布料系統： 采用料倉加直線篩給料裝置結合，料倉容積0.15立方。料倉内壁等與矽料接觸的部分，使用高純PU材質内襯，出口處PU内襯需突出殼體30mm以上，防止物料污染。
7、設備廠家提供合理的上料方式，上料高度與地面距離不超過1100mm，料鬥高度根據系統合理設計，布料系統采用下圖所示方式：
